MOSFETシリコンNチャネルMOS形 (U-MOS)
小型、薄型で実装面積が小さい。
オン抵抗が低い。: RDS(ON)=19mΩ(標準)(VGS=4.5V)
漏れ電流が低い。: IDSS=10µA(最大)(VDS=20V)
取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。: Vth=0.5-1.2V(VDS=10V ID = 0.2 mA)
テープカット品
ROHS対応
MOSFETシリコンNチャネルMOS形 (U-MOS)
小型、薄型で実装面積が小さい。
オン抵抗が低い。: RDS(ON)=19mΩ(標準)(VGS=4.5V)
漏れ電流が低い。: IDSS=10µA(最大)(VDS=20V)
取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。: Vth=0.5-1.2V(VDS=10V ID = 0.2 mA)
テープカット品
ROHS対応